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NXP RF Power在线研讨会问答精选

问答精选:
• Q: 未来半导体功率器件的发展方向如何?
• A: 更高效率,更高增益,更高频率,低成本,这些都是功率器件的发展方向
• Q: Doherty 功放的调试步骤如何?调试载波放大器和峰值放大器时需要遵循的原则有哪些?谢
谢!
• A: Doherty的设计和调试比较复杂,由于研讨会时间有限,我们在这里不做具体的讲解。NXP 的
产品适合Doherty 的应用,并且NXP 也有非常丰富的Doherty 应用经验。NXP 也有很多Doherty 设
计方面的文章,但这些文章都需要签NDA 后,才能发给相应的客户。
• Q: 请问NXP 是否有LDMOS 在广播电视方面的应用实例,其表现如何?
• A: NXP 的LDMOS 在广播电视的市场份额上,是全球第一位的。广泛应用与模拟和数字广播发
射机中。早期的产品BLF861A 可以说是业内的标志性产品,其出货量在几年前就超过1百万片了。现
在NXP 推出了新的40V 和50V 的LDMOS 管子BLF871,BLF878以及BLF888,其输出功率分别是
100W,300W 和500W。NXP 的管子具有输出功率高,曾以高,可靠性好,低热阻和高效率的特点。
• Q: 用在移动基站吗?
• A: NXP 的LDMOS 产品广泛应用于基站,广播和Microwave 中。像基站应用中,NXP 的产品几
乎覆盖所有通信频段,700MHzLTE,800MHzCDMA,900MHzGSM,1800MHzDCS,1900MHzPCS,
2GHzTD-SCDMA,2.1GHzWCDMA/LTE,2.7GHz,3.5GHz,3.8GHzWimax。近期还将推出1.4GHz-
1.5GHz 以及2.3GHz-2.4GhzLTE 产品。
• Q: 恩智浦LDMOS 的温度特性以及补偿措施?
• A: LDMOS 在实际应用中静态是一种正温度系数变化,也就是说随着温度升高同样的电压,静态
电流将增大,所以在实际应用中一般采用一个二极管,利用二极管电压温度变化特性来补偿.
• Q: 采用目前最先进技术研制的LDMOS器件- 恩智浦第七代LDMOS.比较前几代的器件,优越性
主要在那些方面?
• A: NXP 第七代LDMOS 与以前的产品相比,优越性主要体现在以下几个方面:1.效率更高,提高
2%;2.增益更高,增加0.5dB;3.Rth 降低33%;4.可靠性更好;5.输出寄生参数减小,更适合Doherty
的应用。
• Q: 恩智浦的第七代LDMOS 技术是否是目前功效最高的LDMOS 解决方案?
• A: 从目前市场来看,是这样的.
• Q: 研究数字预失真(DPD)算法时,需要对射频功放的特性模型有较好的了解,NXP 有无这方
面的模型?
• A: 与DPD 配合工作时的特性比较复杂,总的来说两个方面: 1,记忆效应足够小;2,功率回退足够;
功率回退足够比较好理解;记忆效应方面,以互调测试为例我们要求高低端互调幅度尽量相等,一般我们
要求AM-AM AM-PM 比较平滑不要有突变.
• Q: 你好!我想问的是:NXP 与freescale有哪方面区别及优势性呢?现在各市场份额如何?未来
又将会如何发展呢?NXP 采用什么策略来推动市场?谢谢!
• A: NXP 在3GHz 频段有两方面应用的管子,基站和Microwave。对于Microwave 产品的话,主
要有27-31(2.7GHz-3.1GHz), 31-35(3.1GHz-3.5GHz), 29-33(2.9GHz-3.3GHz)系列,功率等
级有20W 和120W。对于基站产品,我们有3.4G-3.8GHz 的产品,功率等级有25W,50W 和100W。
NXP 产品的有点是高增益,高效率和高可靠性。
• Q: 1.如何解决LDMOS 在基站功放应用中线性性能和功放效率之间的矛盾.分别就器件制造设计
和电路两方面介绍应采取什么措施.
• A: 设计方面而言,在保证线性的前提下,尽量提高效率.就电路应用方面而言,有两方面的技术,一个
是线性化技术,另一个是高效率的技术.线性化技术主要有模拟预失真,前馈和现在最流行数字预失真技
术.高效率的技术主要有Doherty 技术,开关模式技术以及包络跟踪技术等.
• Q: 在1GHz 的范围内,最大的连续波功率为多少?P1dB是多少?能否有单管可以达到500W的
连续波功率的管子?主要的用途是数字广播系统。
• A: 在1GHz 范围内,我们有两款管子单管输出连续波功率超过500W。1.BLF578, 50MHz-
600MHz,最大单管输出连续波功率超过1000W;2.BLF888,470-860MHz,最大单管输出连续波功
率超过500W;
• Q: 我从事微波功放设计20余年,不知什么原因,NXP 的产品接触的比较少.贵公司是否可以提供一
个我们更加容易接触贵公司产品的平台,增加我们的选择机会.
• A: 一方面我们会进一步的宣传,另一方面大家也可以通过我们的网站,和联系相关的AE 或代理直
接联系来获得关于NXP RFpower 的最新信息
• Q: ldmos 功放管损坏的现象一般是栅极短路,这种短路是由于栅极静电保护二极管被反向击穿的
结果吗?瞬间大信号冲击一般会造成管子损坏,这种损坏是由于输入信号直接把栅极击穿,还是由于漏极
输出过大,反馈到栅极,把栅极干掉的?有什么措施或电路能起到保护作用,避免大的冲击信号把管子干
掉?
• A: 一般我们把功放管的损坏分为热损坏和电损坏,主要是使LDMOS 内部的寄生的双极性器件导
通导致功放管损坏,电损坏主要由反射,漏压和电感电压叠加在一起如果达到击穿电压则功放管损坏。
那么NXP 功放管都是建立在10:1驻波比条件下不损坏的可靠性测试,可靠性有很好的保证。那么在实
际应用中要注意的方面很多,保证散热,接地良好,漏压保持一定范围等等。
• Q: 对于PAR是7和10 dB的应用,在Doherty设计上面有什么不同?
• A: Doherty针对不同的峰值回退有着不同的架构,一般主放大器和峰值放大器功率比1:1最适用
回退6dB 左右的情况,1:2更适合回退9.5dB 左右的情况
• Q: 设计时为了提高P-1往往会提高漏压使用,但不能无限增大,一般漏压用在多少是比较安全?
• A: 提高漏压确实能够提高P-1,使功放管在更大的功率点工作,但漏压太高会导致可靠性下降,使
功放管由于电压过大而烧毁,我们一般推荐功放管的漏压要比最大可承受电压的1/2小,比如我们功放
管的耐压是65V 我们建议最大的漏压要小于32V
• Q: 3路Doherty和两路Doherty有什么区别?NXP 在这方面有没有研究?
• A: 3路Doherty是两路Doherty的进一步增强,我们知道两路Doherty只有两个点能够达到最大
效率,而三路Doherty 不但使回退更多功率条件下的效率达到最大,同时也使这种高效率在更大的范
围能保持;NXP 在3路Doherty 研究方面有很多自己的专利,其高效率和高效率保持的动态范围与两路
Doherty 相比有着明显的优势,拿效率来说,3路Doherty 可以做到46%-47%的效率.当然,这是建立在更
强的设计能力基础上的.
• Q: BLF 这些封装形式都是一样的么?
• A: BLF只能说明是陶瓷封装的,至于封装的大小还是有很多种,每个型号的Datasheet都有很详
细的说明。
• Q: NXP 比FReescal的LDMOS 的优点fian在哪里?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 在LDMOS 设计中,速度与功耗这一对矛盾是如何考虑的,NXP 有何长处?!
• A: 设计方面而言,在保证线性的前提下,尽量提高效率.就电路应用方面而言,有两方面的技术,一个
是线性化技术,另一个是高效率的技术.线性化技术主要有模拟预失真,前馈和现在最流行数字预失真技
术.高效率的技术主要有Doherty 技术,开关模式技术以及包络跟踪技术等.
• Q: LDMOS 在效率方面提高多少?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 恩智浦主要应用范围?
• A: 参见PPT中关于NXP 产品范围
• Q: nxp 功放管在3GHZ 频段主要有哪些产品,其优点是什么?
• A: NXP 在3GHz 频段有两方面应用的管子,基站和Microwave。对于Microwave 产品的话,主
要有27-31(2.7GHz-3.1GHz), 31-35(3.1GHz-3.5GHz), 29-33(2.9GHz-3.3GHz)系列,功率等
级有20W 和120W。对于基站产品,我们有3.4G-3.8GHz 的产品,功率等级有25W,50W 和100W。
NXP 产品的有点是高增益,高效率和高可靠性。
• Q: 是否有ADS 模型?
• A: 我们每个功放管都有ADS模型,具体可以登录我们的网站或找相关的代理获得
• Q: NXP 的LDMOS 在基站就应用是否有避免近距离强磁场干扰的解决方案?其核心解决技巧又
在于何处?
• A: 这个问题,在应用层面就可解决。
• Q: 功放管器件资中的PAR 约为8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.为何实测出的PAR 约为
9.6 dB @ 0.01%Probability on CCDF。是否采用削峰技术测试的?
• A: 不同的调制信号有着不同的峰均比,相同调制信号通过消峰也会有不同的峰均比
• Q: LDMOS 跟同業比,有甚麼優势?可以取代他们吗?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注. NXP 的产品完全可以取代其它公司的产品。
• Q: 采用恩智浦第七代LDMOS 器件与以往的RF Power 器件其成本如何?
• A: 第七代在性能上有一个很大的提升。我们也会有很多低成本的封装形式推出。
• Q: 请问LDMOS 用途情况?介绍下恩智浦NXP RF 芯片的优点和缺点
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 在A类放大应用时,如何计算漏极效率以及它和电源功耗(电流大小)的关系?谢谢?
• A: 漏极效率等于输出射频功率与电源功耗之比。
• Q: 贵公司的LDMOS 的性能如何?有哪些较有优势的参数?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: NXP LDMOS 的RF 稳定性?
• A: 非常好。当然和具体应用的人设计的匹配电路也有关系。
• Q: 适用于哪种无线基站?
• A: NXP 的产品几乎覆盖所有通信频段,700MHzLTE,800MHzCDMA,900MHzGSM,
1800MHzDCS , 1900MHzPCS , 2GHzTD-SCDMA , 2.1GHzWCDMA/LTE,2.7GHz , 3.5GHz ,
3.8GHzWimax。近期还将推出1.4GHz-1.5GHz 以及2.3GHz-2.4GhzLTE 产品。
• Q: 第七代LDMOS 相比于前面几代实用功率和功耗比值的大小?
• A: 效率绝对值提高2%。
• Q: 878等大功率的功放管,在实际应用时,跟小功率的功放管相比,还需要更注重些什么问题?
• A: 大功率功放管更应该注意散热和接地,当然并不是说小功率放大管就不注意了
• Q: 请问一下你们这次介绍的是多少W的功率放大器?输出效率多少? 输出POWER 多少?
• A: 参见PPT中关于NXP 产品列表
• Q: 恩智浦高性能LDMOS 在基站的试用范围和前景?
• A: NXP 的产品几乎覆盖所有通信频段,700MHzLTE,800MHzCDMA,900MHzGSM,
1800MHzDCS , 1900MHzPCS , 2GHzTD-SCDMA , 2.1GHzWCDMA/LTE,2.7GHz , 3.5GHz ,
3.8GHzWimax。近期还将推出1.4GHz-1.5GHz 以及2.3GHz-2.4GhzLTE 产品。NXP LDMOS 凭借良
好的性能正在逐步争取到更大的市场,我们相信,这种良好的势头会一直保持下去
• Q: 贵公司最新的射频管有哪些优点?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 为什么在网上找到你们的资料很有限?
• A: 我们会进一步优化我们的网站。如果在实际应用中遇到类似问题,请通过正规渠道联系我们的
FAE 来解决。
• Q: 请问恩智浦LDMOS 与Freescale的同频同输出功率的LDMOS 的是否有价格优势?
• A: 总体来说,NXP LDMOS 在和其它公司相比,价格上基本持平或略低于竞争者,可以说,NXP 的产
品在价格方面有足够的竞争力
• Q: 请问该产品目前国内的代理有哪些可以购买?
• A: 请找NXP 的正规代理,比如可以通过艾睿电子(Arrow ),鼎芯科技(DXY),富昌电子(Future)
以及Synergy 等公司。
• Q: NXP 高性能LDMOS 的优势是什么?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 恩智浦的第七代LDMOS 技术与上一代产品相比,功率密度提高了以及功率效率有何改善?
• A: 功率密度提高了20%, 功率效率绝对值提高2%
• Q: NXP 比其他竞争对手有哪些先进之处?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 恩智浦第七代LDMOS 横向扩散金属氧化物半导体产品的平均无故障时间可达多少?
• A: 这得看你应用的时候的结温。有一点需要说明,NXP 对于功放管的可靠性的问题,在研发阶
段就给与了足够的关注。
• Q: 恩智浦高性能LDMOS 的应用范围?
• A: 参见PPT中关于NXP 产品范围
• Q: 在微基站上有应用的案例吗?
• A: 这只是个功率等级的问题。
• Q: NXP 对数字预失真(DPD)算法有相关的研究或参考设计吗?
• A: NXP 只对有DPD能力厂家提供更适合DPD的工作功放并对这种功放设计有自己的一套方案,
但针对DPD 本身并不做研究。
• Q: 请问贵公司的功放管目前应用时的电源以及外接有什么特殊的要求吗?
• A: 没有特殊要求
• Q: 恩智浦第七代LDMOS 横向扩散金属氧化物半导体产品在封装技术方面有何突破?
• A: 本次研讨会更关注性能。第七代的管子在封装上也会给大家带来一些惊喜。
• Q: 在使用NXP 功率管的时候,如何提高管子的温度特性,datasheet上面会不会提供相关的技
术说明
• A: 在datasheet不会有温补电路的技术说明。但NXP 可以提供一些温补电路的参考设计。
• Q:What's the advantage of the NXP's LDMOS?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 广播电视发射机的应用优势?
• A: NXP 的LDMOS 在广播电视的市场份额上,是全球第一位的。广泛应用与模拟和数字广播发
射机中。早期的产品BLF861A 可以说是业内的标志性产品,其出货量在几年前就超过1百万片了。现
在NXP 推出了新的40V 和50V 的LDMOS 管子BLF871,BLF878以及BLF888,其输出功率分别是
100W,300W 和500W。NXP 的管子具有输出功率高,曾以高,可靠性好,低热阻和高效率的特点。
• Q: 利用分立器件进行设计时,电路匹配上应注意哪些问题?
• A: 一般大功率LDMOS 都用微带来匹配。
• Q: 在LDMOS 设计中如何降低功耗?
• A: 提高效率。
• Q: 关于LDMOS 管在设计和使用时,如何更好的提高其工作效率?
• A: 设计方面而言,在保证线性的前提下,尽量提高效率.就电路应用方面而言,有两方面的技术,一个
是线性化技术,另一个是高效率的技术.线性化技术主要有模拟预失真,前馈和现在最流行数字预失真技
术.高效率的技术主要有Doherty 技术,开关模式技术以及包络跟踪技术等.
• Q: 450MHz-1GHz 的Doherty功放,什么时间出。
• A: 这么宽的带宽很难实现。
• Q: LDMOS 是否能省电?
• A: 可以。因为效率高。
• Q: NXP 的LDMOS 在wireless handset的成熟应用实例?
• A: NXPLDMOS 主要用于基站大功率,对手机不适用
• Q: 请问NXP 有没有涉及医疗磁共振系统的RF 放大器?在你们的讲座中好像没涉及到,请回答.
• A: 我们的LDMOS 应用于医疗,本次研讨会主要针对通信基站,所以没有介绍医疗方面内容
• Q: 请问如何申请样片?
• A: 请找NXP 的正规代理,比如可以通过艾睿电子(Arrow ),鼎芯科技(DXY),富昌电子(Future)
以及Synergy 等公司。
• Q: 介绍下恩智浦NXP RF芯片与其他厂商同类产品的优点和缺点
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 请问有没有NXP 的RF power 产品应用到通信方面的应用案例?谢谢
• A: 案例很多可以说在通信CDMA GSM DCS WCDMA Wimax等各个频段各个功率都有很成功的
应用
• Q: 什么时候NXP 会有基于GaN 材料的PA产品上市?除了Doherty,还会有什么更好的电路设
计结构?
• A: GaN 是功放管现在技术研究的热点,Doherty的应用主要是为了提高工作效率,将来会向漏级调
制,开关模式等更高效率的功放模式演进
• Q: 基站主要故障为长期电源的适应性、耐用性,为保证基站正常运行,一般基站在功率消耗和维
护费用不记成本,因此第七代LDMOS 功耗是否更具有先进性?
• A: 同第六代比,第七代的效率绝对值会提升2%
• Q: 最近遇到大功率的功放管漏极辐射比较强,手或金属盖放在管子上方时,会有自激信号出现,这
种现象造成的原因主要有那些,造成的原因是什么?怎么解决?
• A: 自激产生的原因比较复杂,一般匹配,接地,盒体结构,链路等设计不好都回造成自激;在设计时
要注意排板,级间隔离良好,接地良好等
• Q: 要占领市场份额,新的射频功放必有技术优势,七代LDMOS 应更具有先进性? 是否基站维
护更可具智能化(傻瓜型),有实例?
• A: NXP 第七代LDMOS 与以前的产品相比,优越性主要体现在以下几个方面:1.效率更高,提高
2%;2.增益更高,增加0.5dB;3.Rth 降低33%;4.可靠性更好;5.输出寄生参数减小,更适合Doherty
的应用。
• Q: 你好! 请问你们的RF 功放有433MHz 的吗? 你们的功放工作在哪个状态,静态功耗有多
大?我们是采用电池供电系统,对静态功耗非常关注!
• A: 我们在433MHz 有各种功率等级,不同的功率等级的状态是不一样的
• Q: RF PA的下一步,是否在最求性能、最大化输出以及提高现有效率上采取必要的技术措施?线
性化技术目前发展到什么阶段了?有没有相关的资料供参考?我的E-mail:xytv-tvro@163.com 多谢
专家。手机见我的注册资料
• A: 目前线性化技术已经发展到DPD+Doherty的阶段,将来回向更高效率和线性的趋势发展。
• Q: 请问BLD6G21-50/BLD6G22-50有那些客户用得比较成熟?
• A: NXP 的确近期推出了全球首款TD-SCDMA 和WCDMA 基站用全集成Doherty 功率放大器
BLD6G21-50全集成Doherty 功率放大器利用了恩智浦先进的第六代LDMOS 技术,专门针对工作在
2010 MHz 至2025 MHz 频率范围的TD-SCDMA 标准而设计,其孪生放大器BLD6G22-50则是针对工
作在2110MHz 至2170MHz 频率范围的W-CDMA 标准而设计。主放大器、峰值放大器、延迟线路、
输入分离器和输出合路器均集成于一个标准晶体管封装中,后者提供单一输入和输出引线,最大限度
地减小所需电路板空间。集成Doherty 目前在一些大客户应用中得到了很好的效果,由于目前还处于
保密阶段,细节方面还不便透露
• Q: 请问贵公司的功放管的健壮性,较之其他公司同类产品,有什么优势吗?
• A: 我们产品在健壮性方面很有优势的,最近Microwave Journal 的一篇文章针对NXP 功放管的
健壮性做出详细的测试,表明NXP 的功放管有很好的健壮性,大家可以参考http://www.mwjournal.com
文章名为:LDMOS RuggedDnessSS RelLiabilLity
• Q: NXP 产品和其他公司产品相比,主要的优势在哪方面?
• A: NXP 半导体在LDMOS 功放管的增益和效率方面与竞争对手相比都有一定的优势,这种优势
随着频率的增高而显得更加突出.另外NXP 不仅关注射频指标,同时诸如可靠性,方便用户调试方面在功
放管的研发阶段都给与了足够的关注.
• Q: 听说NXP 有集成Doherty,能不能做个简单的介绍?
• A: NXP 的确近期推出了全球首款TD-SCDMA 和WCDMA 基站用全集成Doherty 功率放大器
BLD6G21-50全集成Doherty 功率放大器利用了恩智浦先进的第六代LDMOS 技术,专门针对工作在
2010 MHz 至2025 MHz 频率范围的TD-SCDMA 标准而设计,其孪生放大器BLD6G22-50则是针对工
作在2110MHz 至2170MHz 频率范围的W-CDMA 标准而设计。主放大器、峰值放大器、延迟线路、
输入分离器和输出合路器均集成于一个标准晶体管封装中,后者提供单一输入和输出引线,最大限度
地减小所需电路板空间。该封装另有两个附加引脚,其中一个引脚用于外部偏置目的。恩智浦在集成
Doherty 技术上的发展直接针对基站供应商和电信运营商的需求。恩智浦半导体公司射频功率产品市
场总监Mark Murphy 表示:“集成Doherty 是射频功率放大器领域中的顶尖技术。通过这一创新,我
们实现了目前最小的Doherty 设计和创记录的效率,大大削减了系统总功耗,从而帮助我们的客户降
低成本并提升性能。
• Q: NXP 第七代LDMOS 什么时候能推出?
• A: NXP 第七代LDMOS 在第六代良好的性能基础上进一步革新,实现更卓越的指标,NXP 将在09
年上半年发布相关型号,第七代LDMOS 的发布,将会使NXP 半导体在这方面的竞争优势得到进一步
提升。
• Q: 听说NXP 在WCDMA 功放应用方便有末级效率超过45%的解决方案,能否介绍一下?
• A: 近期的确有很多客户应用NXP的第六代功放管并采用Doherty技术达到效率45%的优越性能,
并且其增益还有15.5dB。
• Q: 现在TD-SCDMA 室外多通道覆盖一般用8W 功放,请问NXP 有什么推荐?
• A: 建议使用NXP 的50W集成Doherty ,使功放体积和效率方面都有竞争力。由于集成Doherty
是在Die 的层面实现了Doherty 的功能,生产一致性会得到很好的保证。
• Q: 功放管为什么要做内匹配?
• A: 一般功放管的阻抗都很低,在功放管内部作内匹配可以提高功放管的输入输出阻抗,减少能量
损失,提高增益,增大工作带宽,方便了工程师的设计。
• Q: NXP 在GSM 多载波有哪些主要应用?
• A: NXP 在GSM 多载波应用方面市场份额排名第一,特别是在1800MHz 优势表现的尤其明显。
根据不同的功率等级NXP 有着多种解决方案。
• Q: 现在TD-SCDMA 室内覆盖单通道NXP 有什么推荐?
• A: TD 室内覆盖一般应用25W功放,根据不同厂商的不同峰均比,NXP 会提供不同的解决方案,
和同行相比我们在效率和增益方面有着独特的优势。

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