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明年多频多模3G/4G暴发,射频器件重要性突显.

关键字: 2012多频多模3G/4G趋势 LTE市场 射频器件趋势

引言:从昌旭对多家无线IC的采访来看,大家对于明年多模多频的LTE/3G/2G市场暴发均表示了认同。这对于射频器件有了更大的挑战,除收发IC外,射频PA的挑战也是首当其冲,多颗PA,加上外围的滤波器/双工器等如何集成?LTE效率如何提升?明年射频PA的选择充满刺激与挑战。

 

“2012年是LTE发展的重要的一年。 截止2011年6月20日,全球16个国家已经部署了28个LTE商用网络,中国在TD-SCDMA基础上发展推出的TDD-LTE也被市场广泛认可,并在世界各地搭建了数十个实验网。从终端产品来看,继智能手机先驱HTC和三星等早期推出手机与平板之后,LTE也进入了中国厂商的产品路线图,其中华为,中兴以及TCL等更是其中的领先者。”在近日昌旭采写2012年新年展望时,Triquint中国区总裁熊挺对于明年的LTE市场表现出十分乐观的态度。

 

 

 

 

从昌旭对多家无线IC的采访来看,大家对于明年多模多频的LTE/3G/2G市场暴发均表示了认同。“2012年势必将会成为LTE技术和市场化高速发展的一年,是LTE相关产品步入成熟量产阶段的关键准备和最后冲刺的阶段。”富士通半导体市场部高级经理路标也如此表示。根据IHS iSuppli 2011年11月8日发布的调查报告,预计2011年底,全球4G LTE的用户将达1,160万户,2012年用户数还将进一步大增441%至6,280万户。

 

 

 

不过,相比于目前已是复杂的3G系统,全球的LTE/3G布局将更加复杂。比如目前全球主要LTE频段,在FDD-LTE方面,欧洲为2.6GHz,790~862MHz,美国为700MHz,日本为1.5、1.7、2.1GHz。在TDD-LTE频段方面,中国则采用2.3GHz、2.6GHz,欧洲采用2.6GHz。同时,LTE产品还要向后兼容现有的WCDMA、EVDE和GSM/EDGE系统。这对于射频器件有了更大的挑战,除收发IC外,射频PA的挑战也是首当其冲,而多颗PA,加上外围的滤波器/双工器等如何集成,也成为各家不同的卖点。

 

“从射频架构上看,市场将呈现两种集成方式:一种是分立,多模多频集成;另一种是沿射频链路集成的PAD/TxM等。我认为多种架构将会出现并存的局面。”熊挺认为。他解释,全球来看,LTE频段分布已经非常清晰如欧洲的 “BAND 3、BAND 7、BAND 20”, 美国的“BAND 13, BAND 17” 以及中国的“BAND 38、BAND 40”。“终端芯片组供应商已提出的美洲,欧洲以及中国三大类组合亦是上述频段分布的反映。”他说道。

 

 

 

 

TriQuint针对明年多样的LTE终端类型,将3G时代标准的Band 1、2、4、5、8与上述频段结合,推出系列产品与相应的解决方案。TriQuint将根据客户终端类型,提供最优的架构组合。值得一提的是,对应放大,滤波和开关等功能,在半导体基础工艺上则是砷化镓HBT,pHEMT,Bi-HEMT,SAW,TC-SAW和BAW,“而TriQuint独特的优势就是自主拥有所有上述工艺,并通过先进的模块封装技术,将集成的功能与优异的表现提供给客户。此外,我们不仅支持FDD-LTE, 也同时支持中国特色的TDD-LTE, 例如B38/40与WiFi之间的共存(Coexistence)滤波功能,就是由TriQuint独有的BAW工艺得以实现。”熊挺解释。

原文链接:http://www.eet-china.com/ART_8800657432_617687_NT_212b7e77.HTM

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