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2012 DXY鼎芯暨NXP研讨会在深圳博林诺富特酒店成功举办
作者:admin 添加时间:2012-06-15 18:22:48 浏览:
![]() 随着分布式基站技术(BBU+RRU)的日益成熟及性价比优势,运营商在需要大容量的地方往往采用分布式基站部署,而在不需要容量而需要大范围覆盖的地方可以用大功率直放站进行覆盖。
运营商在集采中更青睐具有创新功能的直放站。例如能够用于农村和海边地广人稀地区的BTA(大功率基站放大器),提高隔离度和空间干扰的ICS 直放站, 覆盖热点的多模数字分布系统,以及适合部署在孤岛的微波直放站。目前,数字光纤直放站和ICS直放站已经成为市场的主流。
为快速响应这类市场需求,DXY鼎芯在近日携手恩智浦(NXP)半导体在深圳博林诺富特酒店成功举办高性能射频功率器件研讨会,推广恩智浦半导体在基站和直放站的最新解决方案。该研讨会是继2010年DXY鼎芯携手恩智浦(NXP)半导体在上海举行的Doherty Day之后的又一次射频工程师相聚的盛会!
NXP和与会直放站客户共同寻找了一条持续发展的道路,围绕市场对高效高功率功放的需求,推出基于第8代LDMOS功率管的超高效率解决方案,以及功率器件的设计思路!
NXP 研讨会推荐了全频段PA 解决方案, 包括FM广播 及CMMB数字电视,及各种无线通讯应用.
会上重点推出了 NXP 超高性价比的 10W 塑封管,可以覆盖 400MHz到2.7GHz所有频段,性能都非常好(2.6Ghz 还有14dB 增益和18W 的峰值功率),而且是业内唯一可以覆盖2.7GHz以下所有频段的10W LDMOS驱动. 而且各频段PCB layout 是一致的,只要改电容值就可以。在12V 供电下,同样有8W 左右的输出。
单管尤其适合 1-2W Pico 多模宽带直放站末级输出,或者 大功率Doherty 功放的推动 (双管GSM Doherty 增益20.5dB,峰值功率超过 40W)
![]() ![]() 本次研讨会邀请了华南地区的20多家通信设备以及OEM厂商的近70多名工程师,重点介绍NXP射频功率器件的发展趋势,业内领先的第8代LDMOS功率管,GaN 宽带方案,并演示了实测结果。以及50V 高压,宽带,小型化多模功放;
对于调频及广播应用,更展示了BLFx78XR “ Unbreakable “ 1200W 功率管,其强壮性令在场工程师都非常惊讶
研讨会最后,DXY鼎芯重点介绍了自己开发的NXP解决方案以及射频链路上极具性价比的射频元器件,包括Scintera 模拟预失真方案, Yantel研通高频3dB电桥,VAD,VAC 机械可调贴片衰减器; JQL高互调隔离器,GE 白金版高效电源(电源效率达到97%)等一系列极具竞争力的产品。
DXY 在现有的RF实验室基础上,年内还会配置CMMB,LTE 及DPD的测试平台, 确保能够全面的服务现有及潜在的客户, 力争成为国内甚至亚太地区最具权威,最专业的RF移动通讯及广播方案供应商.
以下是精彩现场图!
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