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恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管

 

恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管
恩智浦BLF888A晶体管打造强大、高效的数字广播发射机
 
 
中国上海2010928日讯 - 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管,支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号,平均输出功率120W,效率可达31%以上。21dB高增益、出色的线性度和耐用性驻波比VSWR 40:1使BLF888A成为DVB-T等高级数字发射机应用的理想选择。恩智浦将在2010926101法国巴黎举办的欧洲微波展(European Microwave Week)上正式推出BLF888A(展位号:194)。
 
恩智浦50V高压LDMOS工艺技术和先进的热管理概念为BLF888A带来了卓越的性能表现,实现了前所未有的功率密度和0.15K/W超低热阻新突破。借助BLF888A晶体管,广播设备制造商可以对现有以及新装的发射机系统实施优化,提高产品性能,降低总拥有成本。此外,BLF888ABLF881驱动器晶体管优化整合可以满足全系列功率放大器产品需求。
 
恩智浦半导体公司射频功率产品营销总监Mark Murphy表示“BLF888A是一款非常特别的产品实现了耐用性、宽带功率与工作效率的优化整合。过去设计人员只能对这些参数进行优化平衡,始终无法提出最佳解决方案。现在有了BLF888A,全球广播发射机工程师可以放心优化自己的射频系统性能,无需再担心功率晶体管问题。
 
BLF888A提供两个封装版本:螺栓式封装(BLF888A)和无耳式封装(BLF888AS),新封装使PCB设计更加紧凑。另外,BLF888AS还能在更低的结温条件下焊接。
 
恩智浦每年射频器件出货量超过40亿件,是高性能射频领域的领军企业,恩智浦领先的LDMOS技术和先进的封装概念创造了一流的射频功率晶体管,为各种广播技术对大功率和耐用性器件需求提供了完美解决方案。
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